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Ionized Impurity Scattering

定义 Definition

离化杂质散射:在半导体或等离子体中,带电的杂质原子/离子(如施主或受主被电离后)产生库仑势场,使载流子(电子或空穴)发生偏转与动量弛豫的一种散射机制。它常在低温高掺杂条件下显著影响迁移率。(该术语在不同语境下也可能与“杂质散射”更广义概念相并用。)

发音 Pronunciation (IPA)

/ˈaɪənaɪzd ɪmˈpjʊərɪti ˈskætərɪŋ/

例句 Examples

Ionized impurity scattering reduces electron mobility at low temperatures.
离化杂质散射会在低温下降低电子迁移率。

In heavily doped silicon, ionized impurity scattering can dominate transport, so mobility models often include screening effects.
在重掺杂硅中,离化杂质散射可能主导载流子输运,因此迁移率模型常会把屏蔽效应考虑进去。

词源 Etymology

该短语由三部分构成:ionized(“被电离的”)源自 ion(离子)+ -ize(使……化)+ -ed(过去分词);impurity(杂质)来自拉丁语 impurus(不纯的);scattering(散射)源自中古英语 scatter(使分散)。合起来在固体物理/半导体物理中指“由带电杂质导致的散射”。

相关词 Related Words

文学与著作中的用例 Literary Works

  • Physics of Semiconductor Devices(S. M. Sze & Kwok K. Ng)——在载流子输运与迁移率章节讨论离化杂质散射及其对器件性能的影响。
  • Solid State Electronic Devices(Ben G. Streetman & Sanjay Banerjee)——介绍掺杂、迁移率机制与离化杂质散射的温度/掺杂依赖。
  • Fundamentals of Carrier Transport(Mark Lundstrom)——在散射机制与输运模型中涉及离化杂质散射与屏蔽。
  • Brooks–Herring 模型相关经典论文(如 Herring、Brooks 的早期工作)——建立离化杂质散射的经典理论描述。
  • Conwell–Weisskopf 相关经典论文(Conwell、Weisskopf)——提出另一类离化杂质散射近似与处理方法。
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